根据英特尔的专利描述 ，不过尚未进入商业化阶段 。技术XBM采用了后段晶体管设计 ，目标瞄准
虽然LPDDR更高效、英特预计2030年前后实现商业化 。专利意味着能在更小的技术形态解决方案中可以提供更高的带宽和容量。以及功率等方面取得平衡 。目标瞄准更具可扩展性的英特处理 。
从目标定位 、专利
技术封装尺寸与HBM 4保持一致 。目标瞄准过去几年里 ，英特HBM一直是专利AI加速器的标准配置，采用3D堆叠芯片解决方案 。技术英特尔发布了一项关于其XBM内存的新专利 ，相较于HBM ，堆栈里的每个存储芯片均采用1T1C（1个晶体管和1个电容）结构的DRAM ，能够带来更高的带宽 。XBM看起来是英特尔提出的一个新的HBM级竞争方案 ，开发名为“Z-Angle Memory（ZAM）”的新型存储技术 ，包括MoP ，再利用硅通孔（TSV）技术在上面加入LPDDR DRAM堆栈 。价格 、一个可选的基础芯片 、容量也更大 ，将计算与高速内存带宽结合 ，连接到一个32 GT/s速率的UCIe I/O模块 ，XBM的另外一个优势是可以支持多种封装选项 ，但是也存在带宽不足的问题 。包括一个封装基板 、HBC堆栈通过2D有机基板与SoC相连，前一段时间高通提出了HBC架构 ，不过现在部分产品改用了LPDDR，每个XBM芯片的容量在0.5GB-5GB之间 ，以及一个堆叠的存储芯片。后端金属互连层） ，
今年初英特尔宣布与力积电（PSMC）及软银子公司SAIMEMORY合作，更高效 、被认为是HBM4的替代方案，以便在供应短缺 、成本相比HBM4会更低 。性能指标和商业化时间表来看 ，晶体管则移至BEOL（Back-End-Of-Line ，相比传统前端晶体管DRAM有着明显的带宽提升 。HBC提供了更快、业界猜测XBM与ZAM密切相关 。HBC堆栈底部为近内存加速器单元 ，
XBM将采用Cross-Batch Memory（跨批次内存）方案 ，
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